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* 原装IR场效IRU1117-18CYTR
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRU1117-18CYTR 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:DUAL/配对管 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:原厂标准（V） 夹断电压:原厂标准（V） 低频跨导:原厂标准（μS） *间电容:原厂标准（pF） 低频噪声系数:原厂标准（dB） 漏*电流:原厂标准（mA） 耗散功率:原厂标准（mW）
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* 供应IR场效应管IRLMS1503TR
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRLMS1503TR 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:DUAL/配对管 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:原厂标准（V） 夹断电压:原厂标准（V） 低频跨导:原厂标准（μS） *间电容:原厂标准（pF） 低频噪声系数:原厂标准（dB） 漏*电流:原厂标准（mA） 耗散功率:原厂标准（mW）
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* 原装IR场效应管 IR2213-1
品牌/商标:IPRS罗德 型号/规格:IR2213-1 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:DIFF/差分放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:原厂标准（V） 夹断电压:原厂标准（V） 低频跨导:原厂标准（μS） *间电容:原厂标准（pF） 低频噪声系数:原厂标准（dB） 漏*电流:原厂标准（mA） 耗散功率:原厂标准（mW）
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* 供应原装IR场效IRU1010-18CDTR
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRU1010-18CDTR 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:DUAL/配对管 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:原厂标准（V） 夹断电压:原厂标准（V） 低频跨导:原厂标准（μS） *间电容:原厂标准（pF） 低频噪声系数:原厂标准（dB） 漏*电流:原厂标准（mA） 耗散功率:原厂标准（mW）
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* 原装IR场效应管 98-0222
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:98-0222 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:DIFF/差分放大 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:原厂标准（V） 夹断电压:原厂标准（V） 低频跨导:原厂标准（μS） *间电容:原厂标准（pF） 低频噪声系数:原厂标准（dB） 漏*电流:原厂标准（mA） 耗散功率:原厂标准（mW）
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* 原装IR场效应管IRF7322D1
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF7322D1 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:DUAL/配对管 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:原厂标准（V） 夹断电压:原厂标准（V） 低频跨导:原厂标准（μS） *间电容:原厂标准（pF） 低频噪声系数:原厂标准（dB） 漏*电流:原厂标准（mA） 耗散功率:原厂标准（mW）
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供应IR原装现货IRFP4668PBF场效应管
型号/规格:IRFP4668PBF 品牌/商标:IR 封装形式:TO247 *类别:普通型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 功率特征:大功率